p-n-ПЕРЕХО́Д
Ёмкость p - n перехода. Эта граничная область, обладающая большим сопротивлением, называется запорным слоем. Ширина этой области зависит от концентрации донорных и акцепторных примесей в n — и р- полупроводниках. Из решения э того уравнения с учётом граничных условий на контакте можно получить выражение для определения контактной разности. Здесь -концентрации акцепторных и донорных примесей соответственно. При получается симметричный p - n переход и области пространственного заряда одинаково удалены от границы контактов в обе стороны p - n перехода.
Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы - лидеры. Почему людям не стыдно писать в тырнетах полную чушь и выставлять себя необразованными недоумками? Я кажется нашел для чего я родился.
Чтобы объяснить, почему в первом случае ток возникает, а во втором — тока нет, надо знать, что происходит внутри кристалла. Если диод включить в цепь так, чтобы полупроводник n-типа был соединен с отрицательным полюсом источника тока, полупроводник p-типа — с положительным полюсом того же источника, то электрическое поле этого источника тока ослабляет запирающее поле p—n-перехода. В результате дырки и электроны свободно переходят из одной области в другую, и по цепи проходит электрический ток. Если же изменить полярность, то электрическое поле источника тока усилит запирающее поле электронно-дырочного перехода, что препятствует диффузии электронов и дырок через р—n-переход. Ток в цепи прекращается. Таким образом, полупроводниковый кристалл с электронно-дырочным переходом обладает односторонней проводимостью.
?1617562595850)
